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TECHNOLOGIE DU FUTURE
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27 juillet 2015

La ReRAM toujours aussi prometteuse...

La ReRAM toujours aussi prometteuse...
La Resistive RAM (RRAM ou ReRAM) a refait parler d'elle lors de l'IEEE International Electron Devices Meeting qui a eu lieu en cette fin d'année à San Francisco. Pour rappel cette mémoire non volatile est une des candidates à la succession de la Flash...
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3 avril 2014

Hybrid Memory Cube : l'une des mémoires du futur en production dès 2014 ?

 Hybrid Memory Cube : l'une des mémoires du futur en production dès 2014 ?
La HMC ou Hybrid Memory Cube refait parler d'elle. On connait cette fois la première version des spécifications de cette mémoire issue du consortium des grandes sociétés de l'industrie de la mémoire et de la fonderie. La mémoire hybride cubique avance...
19 mars 2014

2,5 GHz, 3 Go, 128 Go : les smartphones sont-ils devenus des PC ?

2,5 GHz, 3 Go, 128 Go : les smartphones sont-ils devenus des PC ?
La puissance des smartphones annoncés pour 2014 se hisse maintenant quasiment au niveau de celle des PC d’entrée de gamme. Et après ? La débauche de caractéristiques des smartphones présentés lors du Mobile World Congress 2014 (MWC 2014) de Barcelone...
16 septembre 2013

Une PRAM pour smartphones

Une PRAM pour smartphones
L’ institut coréen avancé de science et technologie a annoncé avoir produit une PRAM dont la consommation serait compatible avec les contraintes d’un smartphone. Leurs résultats ont été publiés dans la revue ACS Nano . Fonctionnement d’une PRAM La mémoire...
27 août 2013

L'architecture de la PlayStation 4 décortiquée par son concepteur

L'architecture de la PlayStation 4 décortiquée par son concepteur
Si Mark Cerny est assez peu connu du grand public, c'est pourtant un des employés les plus importants de chez Sony. L'homme n'est ni plus ni moins que le cerveau derrière l'architecture matérielle et logicielle de la PlayStation 4. Dans un entretien avec...
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2 avril 2013

Toshiba crée la mémoire perpendiculaire STT-MRAM

Toshiba crée la mémoire perpendiculaire STT-MRAM
Avec la magnétisation perpendiculaire de la STT-MRAM, Toshiba réduit la consommation de la MRAM de 90% en dessous de la SRAM. Après des années de développements, Toshiba annonce avoir résolu la problématique de la mémoire STT-MRAM (spin-transfer torque...
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