Un photodétecteur sur une puce en silicium

Les chercheurs de l’agence singapourienne des sciences, technologies et de la recherche ont conçu un photodétecteur sur un die en silicium, selon le communiqué rapporté par PhysOrg. C’est une prouesse qui permet d’envisager des télécommunications optiques plus rapides.

Un photodétecteur plus rapide

Le photodétecteur reçoit le signal optique et permet sa transformation en signal électrique. Jusqu’à présent, il était placé en dehors du die (cf. « Intel transmet 50 Gbit/s grâce à une puce laser »), principalement parce que sa fabrication était trop complexe. Néanmoins, les chercheurs ont montré aujourd’hui qu’il était possible de déposer de fines couches de germanium et silicium dopées à l’arsenic et au bore, afin d’accroître la conductivité électrique de l’ensemble.

Ce processus a le grand avantage de tolérer des températures de quelques centaines de degrés Celsius, rendant sa fabrication compatible avec les usines d’aujourd’hui. Il gère une longueur d’onde d'environ 1 550 nm, ce qui tape dans le spectre utilisé par les télécommunications. La présence du photodétecteur sur le die signifie que le traitement du signal s’effectue deux fois plus rapidement que sur un modèle classique. Les résultats ont été publiés dans la revue Optics InfoBase.